半导体器件的功率损耗和耗散功率往往很容易混淆，分不清楚。

功率损耗简称功耗。它并不在规格书上显现出来，而是体现为另一类参数，如在二极管上体现为正向导通压降，在三极管上体现为饱和压降，在MOS管上体现为导通电阻，在稳压IC上体现为落差电压。功耗等于二极管的工作电流乘导通压降，等于三极管的工作电流乘饱和压降，等于MOS管的工作电流的平方乘导通电阻，等于稳压IC的工作电流乘落差电压。功率损耗反映的是器件本身的消耗，通常就是发热，如同儿歌中唱到的，永做革命的锣丝钉，有一分热，发一分光。

由于功率损耗代表的是半导体器件的自身消耗，所以是越小越好。pg在宣传半导体器件的优点时，就说低功耗。好的二极管称低导通压降二极管，好的三极管称低饱和压降三极管，好的MOS管称低导通电阻MOS管，好的稳压IC称低落差电压LDO稳压IC。

由于半导体器件存在功率损耗，器件本身会发热，温度会升高。如果这些热量不能及时散发出去，温度不断升高，半导体器件就会损坏。好在半导体器件的管体、特意加粗的管脚和加大的散热片作为管壳，都能帮助散热，让器件一方面发热，一方面散热，保持一种热的动态平衡。这就引出了半导体器件的另一个参数，叫耗散功率。

半导体器件的耗散功率，是反映器件散热能力的参数。耗散功率一定会在产品的规格书中显示出来，而且是在第一页的额定参数表格里面。功率较大的半导体器件，还会列出一个叫热阻的参数。耗散功率和热阻是相关联的，耗散功率等于器件能承受的最大温升除热阻。你看热阻的单位是℃/W，表明的是半导体器件因功耗产生的发热程度，即每瓦功耗下温度升到多少度。热阻是可测量的，就跟压降或电阻是可测量的一样。测量出热阻后就可计算出耗散功率，耗散功率的分子是器件能承受的最大温升，如果器件的最高结温是150℃，最高温升为150℃-25℃=125℃（25℃是环境温度）。分母是热阻，计算结果耗散功率的单位是W。

耗散功率跟功率损耗刚好相反，耗散功率是越大越好，表明散热能力越好。表明发热程度的热阻是越小越好。耗散功率较大或热阻较小的半导体器件，除了芯片面积会较大外，还与较长、较宽、较厚的管脚或较大面积的散热片也是密切相关的。功率再大的半导体器件，还需要通过导热膏与外加的散热器紧密接触，甚至要想让管壳、管脚等散热部件保持温度不会过高，需要再加散热风扇进行冷却。所以耗散功率和热阻会标上附带条件，如环境温度Ta或管壳温度Tc，热阻的参数名都会从结到环境的热阻R_θJA变成结到管壳的热阻R_θJC（没有管壳或代替管壳的散热片，只有较粗管脚的变成结到管脚的热阻R_θJL）。二者的数值相差很大，与管壳或散热片或较粗的管脚与空气的接触面积的大小有关。