半导体二极管的第一个参数VBR，定义为二极管反向所能承受的最高电压。
教科书上叫反向击穿电压。这个名称并不好理解，VBR俗称反向耐压，或叫反向崩溃电压，大概是从“受不了，要崩溃”的意思来的。有一类二极管叫稳压二极管，它的反向击穿电压为稳压值，用VZ表示，稳压二极管就工作在反向崩溃状态，这时电压就稳住了。还有两类二极管，叫TVS瞬态电压抑制二极管、ESD静电保护二极管，二者不工作在反向崩溃状态，而是工作在略低的电压下，这个电压称工作电压VRWM。只有当瞬间的高压脉冲或静电来的时候，它们才会崩溃，TVS或ESD起吸收高压脉冲或静电的作用。TVS或ESD反向崩溃的时候，电压会被拑制在一个水平，这个电压称拑位电压VC。
半导体二极管的第二个参数IR，叫反向漏电流。pg都知道二极管的内部就是一个PN结，具有单向导电性。并不是说二极管反向工作时完全不导电，它会有轻微的导电，这个轻微的导电就表现为漏流。还有就是二极管加的反向电压超过极限时就会崩溃，就表现为第一个参数VBR耐压。
半导体二极管的第三个参数VF，叫正向导通压降。就是说二极管正向导通时，并不是一帆风顺的，有电流通过时会产生小的压降。二极管的功率损耗，简称功耗就是由这个压降产生的。
半导体二极管基础的直流参数就上面三个，其它参数是派生出来的。如TVS或ESD还有一个反向浪涌电流IPP，它是拑位电压时的反向峰值脉冲电流；另有一类正向浪涌电流，IFSM指的是正向峰值浪涌电流，和IFRM可重复正向浪涌电流；耗散功率和热阻参见另一篇短文：半导体器件的功率损耗和耗散功率。
半导体二极管的交流参数里，最基础的就是结电容CJ。这是由PN结的空间耗尽层产生的平板电容。对于开关二极管、快恢复二极管，部分的肖特基二极管，还有一个参数Trr，叫反向恢复时间。