虽然具有两个PN结的半导体三极管的参数比只有一个PN结的半导体二极管的参数要复杂，但是在有了半导体二极管的参数的基础后，就不难解释了。

半导体三极管的基本的参数，还是耐压和漏电流这两类。两个PN结，集电极和基极之间及发射极和基极之间，甚至贯穿两个PN结的集电极和发射极之间，都存在耐压和漏电流，就是任意两个电极之间都存在耐压和漏电流。还有，当pg选择任意两个电极时，三极管是不是还多出来一个电极，这多出来的电极一般情况可以是开路，所以开路时的耐压和漏电流，合有三组。对漏电流而言，集电极和发射极之间贯穿两过PN结，有时又叫穿透电流，基极开路的穿透电流在功率三极管和开关三极管时，表现不太稳定，所以相对于小信号的普通三极管，功率三极管引入一个发射结短路的穿透电流，而开关三极管引入一个发射结稍微加反向偏压的穿透电流，合五种漏电流。下面分别列出：

半导体三极管的第一个参数，耐压。BVcbo定义为当发射极开路时三极管的集电结反向所能承受的最高电压；BVebo定义为当集电极开路时三极管的发射结反向所能承受的最高电压；BVceo定义为当基极开路时三极管的集电极与发射极之间所能承受的最高电压。

半导体三极管的第二个参数，漏电流。Icbo定义为当发射极开路时三极管的集电结反向漏电流；Iebo定义为当集电极开路时三极管的发射结反向漏电流；Iceo定义为当基极开路时三极管的集电极与发射极之间的穿透电流。Ices定义为当发射结短路时三极管的集电极与发射极之间的穿透电流，Icev或叫Icex定义为当发射结轻度反偏时三极管的集电极与发射极之间的穿透电流。

半导体三极管的第三个参数，饱和压降Vce(sat)。三极管饱和时，输出端就导通了，有电流通过时会产生小的压降。三极管的功率损耗，简称功耗就是由这个压降产生的。耗散功率和热阻参见另一篇短文：半导体器件的功率损耗和耗散功率。

半导体三极管的第四个参数，直流放大倍数hFE。pg都知道三极管有放大作用，当三极管在放大电路中共发射极时，基极输入一个小的电流，集电极能输出一个大的电流，好像电流被放大了一样，hFE=Ic/Ib就是体现放大能力的参数。放大倍数有时被称为增益，数字晶体管这个参数就叫增益。

   半导体三极管的交流参数里，最基本的就是特征频率fT，它表明三极管在一定的频带宽度内还有放大作用，超过这个频率范围时，放大能力减弱甚至消失，所以有时特征频率又被称为增益带宽乘积。开关三极管多一类开关时间参数。